IR2112S
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Infineon Technologies IR2112S

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型号

IR2112S

utmel 编号

1211-IR2112S

商品类别

PMIC - 栅极驱动器

封装

16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC

起订量

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IR2112S
IR2112S Infineon Technologies IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC

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IR2112S详情

Infineon Technologies IR2112S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • Driver Configuration

    High-Side or Low-Side

  • Logic voltage-VIL, VIH

    6V 9.5V

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    1996

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    16

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电压 - 供电

    10V~20V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 功能数量

    1

  • 电源电压

    15V

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    IR2112S

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G16

  • 资历状况

    不合格

  • 输入类型

    Non-Inverting

  • 上升/下降时间(Typ)

    80ns 40ns

  • 接口IC类型

    基于半桥的mosfet驱动器

  • 信道型

    Independent

  • 驱动器数量

    2

  • 接通时间

    0.18 µs

  • 输出峰值电流限制-名

    0.5A

  • 闸门类型

    IGBT, N-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    250mA 500mA

  • 高边驱动器

    YES

  • 关断时间

    0.16 µs

  • 高压侧电压-最大值(自举)

    600V

  • 长度

    10.3mm

  • 宽度

    7.5mm

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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技术文档: Infineon Technologies IR2112S.

IR2112S拓展信息

IRS2113STRPBF
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Infineon Technologies

IR2153SPBF
IR2153SPBF

Infineon Technologies

IR2214SSPBF
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IR2102SPBF
IR2102SPBF

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IR4427STRPBF
IR4427STRPBF

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IR2118SPBF
IR2118SPBF

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IR2117STRPBF
IR2117STRPBF

Infineon Technologies

IR2101STRPBF
IR2101STRPBF

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IR2127SPBF
IR2127SPBF

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IR2117PBF
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