Infineon Technologies IR2113STRPBF
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IR2113STRPBF
1211-IR2113STRPBF
PMIC - 栅极驱动器
16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
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IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC
--最小包装量--
IR2113STRPBF详情
Infineon Technologies IR2113STRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
引脚数
16
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
6V 9.5V
Turn Off Delay Time
20 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1996
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
16
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
1.25W
电压 - 供电
3.3V~20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
15V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
IR2113SPBF
输出的数量
2
输出电压
20V
最大输出电流
2.5mA
工作电源电压
15V
电源电流
340μA
功率耗散
1.25W
输出电流
2.5A
最大电源电流
340μA
传播延迟
150 ns
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
20 ns
最大输出电压
20V
上升时间
35ns
下降时间(典型值)
25 ns
最小输出电压
10V
上升/下降时间(Typ)
25ns 17ns
信道型
Independent
接通时间
0.15 μs
输出峰值电流限制-名
2.5A
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
2A 2A
高边驱动器
YES
高压侧电压-最大值(自举)
600V
高度
2.35mm
长度
10.4902mm
宽度
7.5946mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Contains Lead, Lead Free
IR2113STRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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