Infineon Technologies IR2118PBF
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IR2118PBF
1211-IR2118PBF
PMIC - 栅极驱动器
8-DIP (0.300, 7.62mm)
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IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP
--最小包装量--
IR2118PBF详情
Infineon Technologies IR2118PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
8-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
8
Driver Configuration
High-Side
Logic voltage-VIL, VIH
6V 9.5V
Turn Off Delay Time
180 ns
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
已出版
1996
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
1W
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
15V
端子间距
2.54mm
基本部件号
IR2118PBF
输出的数量
1
输出电压
620V
最大输出电流
500mA
电源电流
50μA
功率耗散
1W
输出电流
250mA
最大电源电流
340μA
传播延迟
200 ns
输入类型
Inverting
接通延迟时间
200 ns
最大输出电压
20V
上升时间
130ns
下降时间(典型值)
65 ns
最小输出电压
10V
上升/下降时间(Typ)
80ns 40ns
接口IC类型
基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
信道型
Single
接通时间
0.2 μs
输出峰值电流限制-名
0.5A
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
250mA 500mA
高边驱动器
YES
高压侧电压-最大值(自举)
600V
高度
4.9276mm
长度
10.8966mm
宽度
7.11mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
含铅
IR2118PBF拓展信息
Infineon Technologies
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