Infineon Technologies IRF520NSPBF

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

Power Dissipation (Max)

3.8W Ta 48W Tc

Turn Off Delay Time

32 ns

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

200mOhm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

100V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

9.7A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

48W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.5 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 5.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

330pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

25nC @ 10V

上升时间

23ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

23 ns

连续放电电流(ID)

9.7A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

恢复时间

150 ns

栅源电压

4 V

宽度

10.16mm

高度

4.826mm

长度

10.668mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅