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'irl520nstrlpbf'

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category.单MOSFET晶体管 (1)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

终端

ECCN 代码

电阻

端子表面处理

附加功能

电压 - 额定直流

终端形式

峰值回流焊温度（摄氏度）

额定电流

时间@峰值回流温度-最大值(s)

JESD-30代码

元素配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

Vgs（最大值）

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

阈值电压

栅极至源极电压(Vgs)

漏源击穿电压

双电源电压

雪崩能量等级（Eas）

恢复时间

栅源电压

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

IRL520NSTRLPBF

Infineon Technologies

数据表

N/A

最小起订量: 1

最小包装量: 1

12 Weeks

表面贴装

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SILICON

10A Tc

4V 10V

3.8W Ta 48W Tc

23 ns

2V @ 250μA

-55°C~175°C TJ

Tape & Reel (TR)

2004

HEXFET®

活跃

1 (Unlimited)

SMD/SMT

EAR99

180MOhm

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

100V

鸥翼

260

10A

R-PSSO-G2

Single

增强型MOSFET

3.8W

DRAIN

4 ns

N-Channel

SWITCHING

180m Ω @ 6A, 10V

440pF @ 25V

20nC @ 5V

35ns

±16V

22 ns

10A

16V

100V

85 mJ

160 ns

2 V

4.826mm

10.668mm

9.65mm

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

Contains Lead, Lead Free

IRL520NSTRLPBF

Infineon Technologies

分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Single