Infineon Technologies IRF5850TR

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

供应商器件包装

6-TSOP

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.2A

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2003

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

960mW

额定电流

-2.2A

功率 - 最大

960mW

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

135mOhm @ 2.2A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

320pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.4nC @ 4.5V

上升时间

14ns

漏源电压 (Vdss)

20V

连续放电电流(ID)

2.2A

漏源击穿电压

-20V

输入电容

320pF

场效应管特性

逻辑电平门

最大rds

135 mΩ

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅