Infineon Technologies IRF6150

安装类型

表面贴装

包装/外壳

16-WFBGA

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7.9A

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2004

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

IRF6150

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

3W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

36m Ω @ 7.9A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.2A

漏极-源极导通最大电阻

3Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

8.8A

DS 击穿电压-最小值

250V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

RoHS状态

Non-RoHS Compliant