Infineon Technologies IRF6156

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-FlipFet™

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.5A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2006

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PBGA-B6

资历状况

不合格

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率 - 最大

2.5W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 6.5A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

950pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

18nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.04Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2.5W

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

Non-RoHS Compliant