Infineon Technologies IRF6215LPBF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

供应商器件包装

TO-262

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.8W Ta 110W Tc

Turn Off Delay Time

53 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

功率耗散

110W

接通延迟时间

14 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

290mOhm @ 6.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

860pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

66nC @ 10V

上升时间

36ns

漏源电压 (Vdss)

150V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

37 ns

连续放电电流(ID)

-13A

阈值电压

-4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-150V

输入电容

860pF

漏源电阻

290mOhm

最大rds

290 mΩ

高度

9.65mm

长度

10.668mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅