Infineon Technologies IRF6619TR1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MX

引脚数

7

供应商器件包装

DIRECTFET™ MX

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Ta 150A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.8W Ta 89W Tc

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

3 (168 Hours)

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

电压 - 额定直流

20V

额定电流

30A

功率耗散

2.8W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2mOhm @ 30A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.45V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5040pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

57nC @ 4.5V

上升时间

71ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

9.3 ns

反向恢复时间

29 ns

连续放电电流(ID)

24A

阈值电压

2.45V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

20V

双电源电压

20V

输入电容

5.04nF

漏源电阻

1.65Ohm

最大rds

2.2 mΩ

栅源电压

2.45 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

无铅