Infineon Technologies IRF6702M2DTR1PBF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric MA

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-XBCC-N4

资历状况

不合格

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

功率 - 最大

2.7W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.6m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1380pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

15A

漏极-源极导通最大电阻

0.0066Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

130A

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

71 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门