Infineon Technologies IRF6718L2TR1PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric L6

引脚数

13

供应商器件包装

DIRECTFET L6

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

61A Ta 270A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Power Dissipation (Max)

4.3W Ta 83W Tc

Turn Off Delay Time

47 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

电阻

500kOhm

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

元素配置

Single

功率耗散

4.3W

接通延迟时间

67 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

0.7mOhm @ 61A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6500pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

96nC @ 4.5V

上升时间

140ns

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

53 ns

连续放电电流(ID)

61A

阈值电压

1.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

25V

双电源电压

25V

输入电容

6.5nF

恢复时间

59 ns

漏源电阻

700μOhm

最大rds

700 μΩ

栅源电压

1.9 V

高度

508μm

长度

9.144mm

宽度

7.1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅