Infineon Technologies IRF6811STRPBF

工厂交货时间

13 Weeks

触点镀层

Copper, Silver, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DirectFET™ Isometric SQ

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

19A Ta 74A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.1W Ta 32W Tc

Turn Off Delay Time

11 ns

操作温度

-40°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

JESD-609代码

e1

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.7MOhm

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-XBCC-N2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.1W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.7m Ω @ 19A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 35μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1590pF @ 13V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 4.5V

上升时间

19ns

Vgs（最大值）

±16V

下降时间（典型值）

5.5 ns

连续放电电流(ID)

19A

栅极至源极电压(Vgs)

16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

74A

漏源击穿电压

25V

雪崩能量等级（Eas）

32 mJ

最大结点温度（Tj）

150°C

高度

700μm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅