Infineon Technologies IRF7103QTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

15 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2.4W

基本部件号

IRF7103QPBF

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.4W

接通延迟时间

5.1 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

255pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15nC @ 10V

上升时间

1.7ns

漏源电压 (Vdss)

50V

下降时间（典型值）

2.3 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅