Infineon Technologies IRF7105QTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.5A 2.3A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

45 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2014

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2W

基本部件号

IRF7105QPBF

功率耗散

2W

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

100m Ω @ 1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

330pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

25V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

3.5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准