Infineon Technologies IRF7338PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.3A 3A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

27 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

34mOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2W

额定电流

6.3A

基本部件号

IRF7338PBF

功率耗散

2W

功率 - 最大

2W

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

34mOhm @ 6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

640pF @ 9V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.6nC @ 4.5V

上升时间

13ns

漏源电压 (Vdss)

12V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

6.3A

栅极至源极电压(Vgs)

8V

漏源击穿电压

12V

输入电容

640pF

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

34mOhm

最大rds

34 mΩ

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅