Infineon Technologies IRF7338TRPBF
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IRF7338TRPBF
1211-IRF7338TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC
--最小包装量--
IRF7338TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7338TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6.3A 3A
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
2W
基本部件号
IRF7338PBF
功率耗散
2W
功率 - 最大
2W
场效应管类型
N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
34mOhm @ 6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
640pF @ 9V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8.6nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
12V
连续放电电流(ID)
3A
栅极至源极电压(Vgs)
8V
漏源击穿电压
12V
输入电容
640pF
场效应管特性
逻辑电平门
漏源电阻
34mOhm
最大rds
34 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRF7338TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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