Infineon Technologies IRF7341QTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.1A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

31 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

175°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2.4W

基本部件号

IRF7341QPBF

功率耗散

2.4W

接通延迟时间

9.2 ns

功率 - 最大

2.4W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

50mOhm @ 5.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA (Min)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

780pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

44nC @ 10V

上升时间

7.7ns

漏源电压 (Vdss)

55V

下降时间（典型值）

12.5 ns

连续放电电流(ID)

4.7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

输入电容

780pF

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

65mOhm

最大rds

50 mΩ

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅