Infineon Technologies IRF7343QTRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.7A 3.4A

Number of Elements

2

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2W

基本部件号

IRF7343QPBF

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

场效应管类型

N and P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

50m Ω @ 4.7A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

740pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

36nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

55V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

4.7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准