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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥6.564571
10
¥6.192992
100
¥5.842445
500
¥5.511741
1000
¥5.199755
Infineon Technologies IRF7458TRPBF
- 收藏
- 对比
IRF7458TRPBF
1211-IRF7458TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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立即发货

MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRF7458TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7458TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
14A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V 16V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
2.5W Ta
Turn Off Delay Time
22 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
电阻
8MOhm
附加功能
雪崩 额定
电压 - 额定直流
30V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
额定电流
14A
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
2.5W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8m Ω @ 14A, 16V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2410pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
59nC @ 10V
上升时间
4.6ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
14A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
30V
双电源电压
30V
恢复时间
77 ns
栅源电压
4 V
高度
1.4986mm
长度
4.9784mm
宽度
3.9878mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRF7458TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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