Infineon Technologies IRF7507PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width)

引脚数

8

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.4A 1.7A

Number of Elements

2

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

1998

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

附加功能

HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1.25W

终端形式

鸥翼

基本部件号

IRF7507PBF

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25W

场效应管类型

N and P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

140m Ω @ 1.7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA (Min)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

260pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

极性/通道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

连续放电电流(ID)

2.4A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1.3A

漏极-源极导通最大电阻

0.14Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

19A

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

栅源电压

700 mV

高度

910μm

长度

3.05mm

宽度

3.05mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant