Infineon Technologies IRF7704TRPBF
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IRF7704TRPBF
1211-IRF7704TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
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MOSFET P-CH 40V 4.6A 8-TSSOP
--最小包装量--
IRF7704TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7704TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-TSSOP
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
4.6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
2
Power Dissipation (Max)
1.5W Ta
Turn Off Delay Time
190 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2009
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
电阻
46MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
1.5W
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
46mOhm @ 4.6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3150pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
38nC @ 4.5V
上升时间
360ns
漏源电压 (Vdss)
40V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
100 ns
连续放电电流(ID)
-4.6A
阈值电压
-3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-40V
双电源电压
-40V
输入电容
3.15nF
漏源电阻
74mOhm
最大rds
46 mΩ
栅源电压
-3 V
高度
1.0414mm
长度
3.0988mm
宽度
4.4958mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
IRF7704TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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