Infineon Technologies IRF7749L1TRPBF
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IRF7749L1TRPBF
1211-IRF7749L1TRPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
DirectFET™ Isometric L8
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MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFETL8
--最小包装量--
IRF7749L1TRPBF详情
Infineon Technologies IRF7749L1TRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
DirectFET™ Isometric L8
引脚数
15
供应商器件包装
DIRECTFET L8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
33A Ta 200A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
3.3W Ta 125W Tc
Turn Off Delay Time
78 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
功率耗散
3.3W
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.5mOhm @ 120A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
12320pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
300nC @ 10V
上升时间
43ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
39 ns
连续放电电流(ID)
200A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
输入电容
12.32nF
漏源电阻
1.1mOhm
最大rds
1.5 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRF7749L1TRPBF拓展信息
Infineon Technologies
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