Infineon Technologies IRF7752TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-TSSOP

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4.6A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

25 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

30mOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

1W

基本部件号

IRF7752PBF

元素配置

Dual

功率耗散

1W

接通延迟时间

7.2 ns

功率 - 最大

1W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

30mOhm @ 4.6A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

861pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9nC @ 4.5V

上升时间

9.1ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

4.6A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

30V

输入电容

861pF

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

36mOhm

最大rds

30 mΩ

栅源电压

2 V

高度

1.0414mm

长度

3.0988mm

宽度

4.4958mm

达到SVHC

Unknown

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅