Infineon Technologies IRF7755

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

89 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

-20V

最大功率耗散

1W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-3.7A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

9 ns

功率 - 最大

1W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

51m Ω @ 3.7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1090pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 4.5V

上升时间

13ns

下降时间（典型值）

61 ns

连续放电电流(ID)

3.9A

JEDEC-95代码

MO-153AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.051Ohm

漏源击穿电压

-20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1mm

长度

3mm

宽度

4.4mm

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅