Infineon Technologies IRF7755TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-TSSOP

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.9A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

SMD/SMT

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

1W

基本部件号

IRF7755PBF

元素配置

Dual

功率耗散

1W

功率 - 最大

1W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

51mOhm @ 3.7A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1090pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

17nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

连续放电电流(ID)

-3.9A

阈值电压

-1.2V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-20V

双电源电压

-20V

输入电容

1.09nF

场效应管特性

逻辑电平门

最大rds

51 mΩ

栅源电压

-1.2 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准