Infineon Technologies IRF7805ZPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

14 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2005

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

16A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.8m Ω @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.25V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2080pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

27nC @ 4.5V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3.7 ns

连续放电电流(ID)

16A

阈值电压

2.25V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

高度

1.5mm

长度

5mm

宽度

4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅