Infineon Technologies IRF7831TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.5W Ta

Turn Off Delay Time

17 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2005

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电阻

3.6MOhm

电压 - 额定直流

30V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

21A

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.5W

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.6m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6240pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60nC @ 4.5V

上升时间

10ns

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

5.3 ns

连续放电电流(ID)

21A

阈值电压

2.35V

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

30V

恢复时间

62 ns

栅源电压

2.35 V

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅