Infineon Technologies IRF7902PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.4A 9.7A

Number of Elements

2

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2006

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

22.6MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

30V

最大功率耗散

2W

额定电流

6.4A

基本部件号

IRF7902PBF

元素配置

Dual

功率耗散

2W

功率 - 最大

1.4W 2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

22.6mOhm @ 6.4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.25V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

580pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.9nC @ 4.5V

上升时间

8.6ns

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

9.7A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

输入电容

580pF

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

18.7mOhm

最大rds

22.6 mΩ

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅