Infineon Technologies IRF8513TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A 11A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

9.3 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

2.4W

终端形式

鸥翼

基本部件号

IRF8513PBF

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.5W

功率 - 最大

1.5W 2.4W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15.5m Ω @ 8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

766pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.6nC @ 4.5V

连续放电电流(ID)

11A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏极-源极导通最大电阻

0.0155Ohm

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

64A

雪崩能量等级（Eas）

49 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

高度

1.4986mm

长度

4.9784mm

宽度

3.9878mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅