Infineon Technologies IRF8852TRPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

70.8 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

附加功能

超低电阻

最大功率耗散

1W

终端形式

鸥翼

基本部件号

IRF8852PBF

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1W

接通延迟时间

11.4 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11.3m Ω @ 7.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1151pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.5nC @ 4.5V

上升时间

10.9ns

漏源电压 (Vdss)

25V

下降时间（典型值）

28.9 ns

连续放电电流(ID)

7.8A

JEDEC-95代码

MO-153AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.0113Ohm

漏源击穿电压

25V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

长度

3.0988mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准