Infineon Technologies IRF8910GPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

供应商器件包装

8-SO

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

9.7 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2W

基本部件号

IRF8910GPBF

元素配置

Dual

功率耗散

2W

接通延迟时间

6.2 ns

功率 - 最大

2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

13.4mOhm @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.55V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

960pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11nC @ 4.5V

上升时间

10ns

漏源电压 (Vdss)

20V

下降时间（典型值）

4.1 ns

连续放电电流(ID)

10A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

20V

输入电容

960pF

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

18.3mOhm

最大rds

13.4 mΩ

高度

1.4986mm

宽度

3.9878mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准