Infineon Technologies IRF8915TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.9A

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

功率 - 最大

2W

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

18.3m Ω @ 8.9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

540pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

7.4nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8.9A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

2W

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

Non-RoHS Compliant