Infineon Technologies IRFB31N20DPBF

工厂交货时间

14 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

31A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.1W Ta 200W Tc

Turn Off Delay Time

26 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

1998

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电阻

82mOhm

电压 - 额定直流

200V

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

额定电流

31A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

200W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

16 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

82m Ω @ 18A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2370pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

107nC @ 10V

上升时间

38ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

31A

阈值电压

5.5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

200V

双电源电压

200V

雪崩能量等级（Eas）

420 mJ

恢复时间

300 ns

栅源电压

5.5 V

高度

8.763mm

长度

10.5156mm

宽度

4.69mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Contains Lead, Lead Free