Infineon Technologies IRFB3307PBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

130A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

200W Tc

Turn Off Delay Time

51 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

6.3MOhm

电压 - 额定直流

75V

额定电流

130A

螺纹距离

2.54mm

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

200W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

26 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.3m Ω @ 75A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5150pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

180nC @ 10V

上升时间

120ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

63 ns

连续放电电流(ID)

130A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75A

漏源击穿电压

75V

双电源电压

75V

雪崩能量等级（Eas）

270 mJ

栅源电压

4 V

高度

4.82mm

长度

10.6426mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅