Infineon Technologies IRFB4115PBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

104A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

380W Tc

Turn Off Delay Time

41 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍外哑光锡

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

380W

接通延迟时间

18 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 62A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5270pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

120nC @ 10V

上升时间

73ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

39 ns

连续放电电流(ID)

104A

阈值电压

5V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

150V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

420A

双电源电压

150V

最大结点温度（Tj）

175°C

栅源电压

5 V

高度

19.8mm

长度

10.668mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅