Infineon Technologies IRFBA90N20DPBF

工厂交货时间

25 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-273AA

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

98A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

650W Tc

Turn Off Delay Time

39 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

23Ohm

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

200V

额定电流

98A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

650W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

23 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

23m Ω @ 59A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6080pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

240nC @ 10V

上升时间

160ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

77 ns

连续放电电流(ID)

98A

阈值电压

5V

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

95A

漏源击穿电压

200V

双电源电压

200V

雪崩能量等级（Eas）

960 mJ

栅源电压

5 V

高度

15.0114mm

长度

10.9982mm

宽度

5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅