Infineon Technologies IRFH3702TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-PowerVDFN

引脚数

8

供应商器件包装

8-PQFN (3x3)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Ta 42A Tc

Number of Elements

1

Turn Off Delay Time

11 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2010

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

7.1MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

2.8W

元素配置

Single

功率耗散

2.8W

接通延迟时间

9.6 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.1mOhm @ 16A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1510pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

14nC @ 4.5V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

5.8 ns

连续放电电流(ID)

16A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

输入电容

1.51nF

恢复时间

26 ns

漏源电阻

7.1mOhm

最大rds

7.1 mΩ

栅源电压

1.8 V

高度

939.8μm

长度

2.9972mm

宽度

2.9972mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅