Infineon Technologies IRFH5104TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VQFN Exposed Pad

引脚数

8

供应商器件包装

PQFN (5x6)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24A Ta 100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

3.6W Ta 114W Tc

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电阻

3.5MOhm

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

功率耗散

114W

接通延迟时间

9.5 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.5mOhm @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3120pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

80nC @ 10V

上升时间

15ns

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

10 ns

连续放电电流(ID)

24A

阈值电压

4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

40V

输入电容

3.12nF

恢复时间

47 ns

漏源电阻

3.5mOhm

最大rds

3.5 mΩ

栅源电压

4 V

高度

900μm

长度

6mm

宽度

5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅