Infineon Technologies IRFH7004TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-VQFN Exposed Pad

引脚数

5

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

156W Tc

Turn Off Delay Time

73 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®, StrongIRFET™

已出版

2012

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

156W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.4m Ω @ 100A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.9V @ 150μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6419pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

194nC @ 10V

上升时间

51ns

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

49 ns

连续放电电流(ID)

100A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

DS 击穿电压-最小值

40V

栅源电压

3 V

高度

850μm

长度

6mm

宽度

5mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅