Infineon Technologies IRFHM830DTR2PBF
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IRFHM830DTR2PBF
1211-IRFHM830DTR2PBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-VQFN Exposed Pad
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MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
1最小包装量--
IRFHM830DTR2PBF详情
Infineon Technologies IRFHM830DTR2PBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-VQFN Exposed Pad
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
20A Ta 40A Tc
Number of Elements
1
Turn Off Delay Time
9.1 ns
包装
Digi-Reel®
系列
HEXFET®
已出版
2013
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
2.8W
功率耗散
37W
接通延迟时间
9.8 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.3m Ω @ 20A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.35V @ 50μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1797pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
27nC @ 10V
上升时间
20ns
下降时间(典型值)
6.7 ns
连续放电电流(ID)
20A
阈值电压
1.8V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
恢复时间
24 ns
栅源电压
1.8 V
高度
990.6μm
长度
3.2766mm
宽度
3.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
IRFHM830DTR2PBF拓展信息
Infineon Technologies
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