Infineon Technologies IRFHS9351TR2PBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-PowerVDFN

引脚数

6

供应商器件包装

6-PQFN Dual (2x2)

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.3A

Turn Off Delay Time

6.3 ns

包装

Cut Tape (CT)

系列

HEXFET®

已出版

2011

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

1.4W

基本部件号

IRFHS9351PBF

元素配置

Dual

功率耗散

1.4W

接通延迟时间

8.3 ns

功率 - 最大

1.4W

场效应管类型

2 P-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

170mOhm @ 3.1A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 10μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

160pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.7nC @ 10V

上升时间

30ns

漏源电压 (Vdss)

30V

下降时间（典型值）

7.9 ns

连续放电电流(ID)

-2.3A

阈值电压

-1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

-30V

输入电容

160pF

恢复时间

30 ns

场效应管特性

逻辑电平门

漏源电阻

170mOhm

最大rds

53 mΩ

栅源电压

-1.8 V

高度

950μm

长度

2.1mm

宽度

2.1mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准