Infineon Technologies IRFIZ34NPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

37W Tc

Turn Off Delay Time

31 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2003

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

电压 - 额定直流

60V

额定电流

20A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

31W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

40m Ω @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

700pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34nC @ 10V

上升时间

49ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

40 ns

连续放电电流(ID)

21A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏极-源极导通最大电阻

0.04Ohm

漏源击穿电压

55V

双电源电压

55V

恢复时间

86 ns

隔离电压

2.5kV

栅源电压

20 V

高度

9.8mm

长度

10.6172mm

宽度

4.826mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅