Infineon Technologies IRFML8244TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

Micro3

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.8A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.25W Ta

Turn Off Delay Time

9 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

41MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25W

接通延迟时间

2.7 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

24m Ω @ 5.8A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 10μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

430pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.4nC @ 10V

上升时间

2.1ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2.9 ns

连续放电电流(ID)

5.8A

阈值电压

1.7V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

25V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

24A

恢复时间

17 ns

栅源电压

1.7 V

高度

1.02mm

长度

3.04mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅