Infineon Technologies IRFP4668PBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

130A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

520W Tc

Turn Off Delay Time

64 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电阻

9.7MOhm

峰值回流焊温度（摄氏度）

250

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

520W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

41 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9.7m Ω @ 81A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10720pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

241nC @ 10V

上升时间

105ns

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

74 ns

连续放电电流(ID)

130A

阈值电压

5V

JEDEC-95代码

TO-247AC

栅极至源极电压(Vgs)

30V

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

520A

双电源电压

200V

雪崩能量等级（Eas）

760 mJ

最大结点温度（Tj）

175°C

栅源电压

5 V

高度

24.99mm

长度

15.87mm

宽度

5.3086mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅