Infineon Technologies IRFSL4510PBF

工厂交货时间

15 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

引脚数

3

质量

2.084002g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

61A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

140W Tc

Turn Off Delay Time

28 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

140W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

13.9m Ω @ 37A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3180pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

87nC @ 10V

上升时间

32ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

28 ns

连续放电电流(ID)

61A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

250A

栅源电压

3 V

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅