Infineon Technologies IRFTS8342TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8.2A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2W Ta

Turn Off Delay Time

9.1 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

HEXFET®

已出版

2008

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

19MOhm

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2W

接通延迟时间

7.3 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

19m Ω @ 8.2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.35V @ 25μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

560pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.8nC @ 4.5V

上升时间

15ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8.2 ns

连续放电电流(ID)

8.2A

阈值电压

1.8V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80A

恢复时间

12 ns

栅源电压

1.8 V

高度

1.3mm

长度

3mm

宽度

1.75mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅