Infineon Technologies IRFZ24NPBF

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

45W Tc

Turn Off Delay Time

19 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

1999

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

通孔

ECCN 代码

EAR99

电阻

70mOhm

附加功能

雪崩 额定

电压 - 额定直流

55V

额定电流

17A

螺纹距离

2.54mm

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

45W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4.9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

70m Ω @ 10A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

370pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20nC @ 10V

上升时间

34ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

27 ns

连续放电电流(ID)

17A

阈值电压

2V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

55V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

68A

双电源电压

55V

最大结点温度（Tj）

175°C

栅源电压

4 V

高度

19.8mm

长度

10.5156mm

宽度

4.69mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅