IRG7T50FF12E
IRG7T50FF12E

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Infineon Technologies IRG7T50FF12E

  • 收藏
  • 对比

型号

IRG7T50FF12E

utmel 编号

1211-IRG7T50FF12E

商品类别

晶体管 - IGBT - 模块

封装

POWIR ECO 2™ Module

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOD IGBT 1200V 50A 6PK POWIRECO2

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
IRG7T50FF12E
IRG7T50FF12E Infineon Technologies MOD IGBT 1200V 50A 6PK POWIRECO2

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

IRG7T50FF12E详情

Infineon Technologies IRG7T50FF12E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    底座安装

  • 安装类型

    底座安装

  • 包装/外壳

    POWIR ECO 2™ Module

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    1.2kV

  • 操作温度

    -40°C~150°C TJ

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    340W

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 配置

    三相逆变器

  • 功率 - 最大

    340W

  • 输入

    Standard

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    2.2V

  • 最大集电极电流

    100A

  • 最大集极截止电流

    1mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1200V

  • 输入电容

    6.7nF

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.2V @ 15V, 50A

  • NTC热敏电阻

  • 输入电容(Cies)@Vce

    6.7nF @ 25V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Infineon Technologies IRG7T50FF12E.

查看更多

IRG7T50FF12E拓展信息

FP30R06W1E3BOMA1
FP30R06W1E3BOMA1

Infineon Technologies

FS820R08A6P2BBPSA1
FS820R08A6P2BBPSA1

Infineon Technologies

FF450R12ME4BOSA1
FF450R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF300R12KS4HOSA1
FF300R12KS4HOSA1

Infineon Technologies

FF450R17ME4BOSA1
FF450R17ME4BOSA1

Infineon Technologies

FF600R12ME4BOSA1
FF600R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

FP25R12W2T4BOMA1
FP25R12W2T4BOMA1

Infineon Technologies

FF75R12RT4HOSA1
FF75R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FD150R12RT4HOSA1
FD150R12RT4HOSA1

Infineon Technologies

FF225R12ME4BOSA1
FF225R12ME4BOSA1

Infineon Technologies

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z