Infineon Technologies IRL3102SPBF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

供应商器件包装

D2PAK

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

61A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 7V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

89W Tc

Turn Off Delay Time

80 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

HEXFET®

已出版

2004

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

20V

额定电流

61A

元素配置

Single

功率耗散

89W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

13mOhm @ 37A, 7V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2500pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

58nC @ 4.5V

上升时间

130ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±10V

下降时间（典型值）

110 ns

连续放电电流(ID)

61A

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏源击穿电压

20V

输入电容

2.5nF

漏源电阻

15mOhm

最大rds

13 mΩ

栅源电压

700 mV

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅